型号:T97R156K050HAS | 类别:钽 | 制造商:Vishay Sprague |
封装:3024(7660 公制) | 描述:CAP TANT 15UF 50V 10% 3024 |
详细参数
类别 | 钽 |
---|---|
描述 | CAP TANT 15UF 50V 10% 3024 |
系列 | TANTAMOUNT® T97 |
制造商 | Vishay Sprague |
电容 | 15µF |
电压_额定 | 50V |
容差 | ±10% |
ESR111等效串联电阻222 | 250 毫欧 |
类型 | 保形涂层 |
工作温度 | -55°C ~ 125°C |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 3024(7660 公制) |
尺寸/尺寸 | 0.299" L x 0.236" W(7.60mm x 6.00mm) |
高度_座高111最大222 | 0.157"(4.00mm) |
引线间隔 | - |
制造商尺寸代码 | R |
特点 | COTS(高可靠性) |
包装 | 带卷 (TR) |
故障率 |
供应商
北京首天伟业科技有限公司 | 刘经理086-010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791 |
T97R156K050HAS相关型号
- SMBJ8.5CA
TVS - 二极管
Bourns Inc.
DO-214AA,SMB
DIODE TVS 8.5V 600W BI 5% SMD
- SR201E224MAATR1
陶瓷
AVX Corporation
径向
CAP CER 0.22UF 100V 20% RADIAL
- T95V106M6R3EZSL
钽
Vishay Sprague
1410(3727 公制)
CAP TANT 10UF 6.3V 20% 1410
- STB40N20
FET - 单
STMicroelectronics
TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
MOSFET N-CH 200V 40A D2PAK
- TC164-JR-073RL
网络、阵列
Yageo
1206(3216 公制),凹陷
RES ARRAY 3 OHM 4 RES 1206
- T97R108K6R3CAB
钽
Vishay Sprague
3024(7660 公制)
CAP TANT 1000UF 6.3V 10% 3024
- MT9HTF12872KY-53EA2
存储器 - 模块
Micron Technology Inc
244-DIMM
MODULE DDR2 1GB 244-DIMM
- SMBJ8.5CA
TVS - 二极管
Littelfuse Inc
DO-214AA,SMB
DIODE TVS 8.5V 600W BIDIR 5% SMB
- SR201E473MARTR1
陶瓷
AVX Corporation
径向
CAP CER 0.047UF 100V 20% RADIAL
- STB4N62K3
FET - 单
STMicroelectronics
TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
MOSFET N-CH 620V 3.8A D2PAK
- T95V106M6R3HZAL
钽
Vishay Sprague
1410(3727 公制)
CAP TANT 10UF 6.3V 20% 1410
- TC164-JR-07510KL
网络、阵列
Yageo
1206(3216 公制),凹陷
RES ARRAY 510K OHM 4 RES 1206
- T97R156K050CBB
钽
Vishay Sprague
3024(7660 公制)
CAP TANT 15UF 50V 10% 3024
- MT9HTF12872PY-53EA1
存储器 - 模块
Micron Technology Inc
244-DIMM
MODULE DDR2 1GB 244-DIMM
- SMBJ8.5CA-E3/52
TVS - 二极管
Vishay Semiconductor Diodes Division
DO-214AA,SMB
TVS BIDIRECT 600W 8.5V 5% SMB
- SR201E683MARTR1
陶瓷
AVX Corporation
径向
CAP CER 0.068UF 100V 20% RADIAL
- T95V106M6R3HZSL
钽
Vishay Sprague
1410(3727 公制)
CAP TANT 10UF 6.3V 20% 1410
- STB4NK60ZT4
FET - 单
STMicroelectronics
TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
MOSFET N-CH 600V 4A D2PAK
- TC164-JR-0751KL
网络、阵列
Yageo
1206(3216 公制),凹陷
RES ARRAY 51K OHM 4 RES 1206
- MT9HTF25672AZ-667C1
存储器 - 模块
Micron Technology Inc
240-UDIMM
MODULE DDR2 SDRAM 2GB 240UDIMM
- SMBJ8.5CA-TP
TVS - 二极管
Micro Commercial Co
DO-214AA,SMB
TVS 600W 8.5V BIDIR SMB
- SR201E683MARTR1
陶瓷
AVX Corporation
径向
CAP CER 0.068UF 100V 20% RADIAL
- STB50N25M5
FET - 单
STMicroelectronics
TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
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- T95V155K035ESAL
钽
Vishay Sprague
1410(3727 公制)
CAP TANT 1.5UF 35V 10% 1410
- MT9HTF6472FY-53ED4E3
存储器 - 模块
Micron Technology Inc
240-DIMM
MODULE DDR2 512MB 240-DIMM
- TC164-JR-0756RL
网络、阵列
Yageo
1206(3216 公制),凹陷
RES ARRAY 56 OHM 4 RES 1206
- T97R156M050LSB
钽
Vishay Sprague
3024(7660 公制)
CAP TANT 15UF 50V 20% 3024
- SMBJ8.5-E3/52
TVS - 二极管
Vishay Semiconductor Diodes Division
DO-214AA,SMB
TVS UNIDIRECT 600W 8.5V 10% SMB
- SR202A680JAR
陶瓷
AVX Corporation
径向
CAP CER 68PF 200V 5% RADIAL
- T95V155K035LZAL
钽
Vishay Sprague
1410(3727 公制)
CAP TANT 1.5UF 35V 10% 1410
- STB60NF10T4
FET - 单
STMicroelectronics
TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
- MT9HTF6472FY-667D4E3
存储器 - 模块
Micron Technology Inc
240-DIMM
MODULE DDR2 512MB 240-DIMM
- TC164-JR-0768KL
网络、阵列
Yageo
1206(3216 公制),凹陷
RES ARRAY 68K OHM 4 RES 1206
- SMBJ8.5-E3/5B
TVS - 二极管
Vishay Semiconductor Diodes Division
DO-214AA,SMB
TVS UNIDIR 600W 8.5V 10% SMB
- T97R156M063CSA
钽
Vishay Sprague
3024(7660 公制)
CAP TANT 15UF 63V 20% 3024
- SR202A681KAATR1
陶瓷
AVX Corporation
径向
CAP CER 680PF 200V 10% RADIAL
- STB6NM60N
FET - 单
STMicroelectronics
TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
MOSFET N-CH 600V 4.6A D2PAK
- T95V155M035CZSL
钽
Vishay Sprague
1410(3727 公制)
CAP TANT 1.5UF 35V 20% 1410
- TC164-JR-07820RL
网络、阵列
Yageo
1206(3216 公制),凹陷
RES ARRAY 820 OHM 4 RES 1206
- MT9HTF6472PKY-53EB3
存储器 - 模块
Micron Technology Inc
244-DIMM
MODULE DDR2 256MB 244-DIMM